在追求極致顯示效果的道路上，Micro LED技術(shù)一直被寄予厚望。它幾乎集成了LCD與OLED所有的優(yōu)點(diǎn)：超高亮度、超大視角、無(wú)限對(duì)比度、長(zhǎng)壽命以及極低的功耗。然而，從實(shí)驗(yàn)室的理想模型到真正進(jìn)入大眾視野的商業(yè)產(chǎn)品，Micro LED在超微尺寸下仍需突破襯底束縛、巨量轉(zhuǎn)移與成本瓶頸。
2025年，利亞德首發(fā)Hi-Micro LED 產(chǎn)品，率先實(shí)現(xiàn)Micro LED無(wú)襯底技術(shù)的突破，更是打破了其從實(shí)驗(yàn)室走向量產(chǎn)的核心桎梏，為行業(yè)提供了從“能做”到“好用、能用得起”的完整樣本。
傳統(tǒng)的LED芯片通常生長(zhǎng)在藍(lán)寶石或GaAs襯底上，襯底為L(zhǎng)ED外延的生長(zhǎng)提供了穩(wěn)定良好的支撐。但在邁向Micro LED階段，襯底的存在成為了阻礙。
在將Micro LED制備成分立器件的過(guò)程中，襯底的切割難度大大提升，尤其是將芯片尺寸縮小至50μm以下時(shí)，切割良率大幅降低，傳統(tǒng)LED的切割工藝幾乎不再適用。因此，亟需去除LED襯底，解除襯底對(duì)于LED芯片尺寸微縮的限制，實(shí)現(xiàn)更高像素密度的排列。
利亞德Hi-Micro LED（高階MIP）技術(shù)的核心，在于“剝離”與“重構(gòu)”。
通過(guò)激光剝離（LLO）等尖端工藝，阻礙光路和提高切割難度的藍(lán)寶石襯底被去除，形成了無(wú)襯底薄膜結(jié)構(gòu)（Thin-film）芯片。這種結(jié)構(gòu)下，LED芯片厚度薄至10μm量級(jí)，發(fā)光層直接貼合封裝界面。這不僅減少了藍(lán)寶石對(duì)于出光角度一致性的影響，更讓芯片具備了近乎極致的散熱性能。
無(wú)襯底技術(shù)固然驚艷，但要實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，利亞德必須攻克行業(yè)公認(rèn)的三大難題：巨量轉(zhuǎn)移、良率控制與成本優(yōu)化。
在Hi-Micro LED的研發(fā)初期，如何在每秒鐘內(nèi)精準(zhǔn)地將數(shù)萬(wàn)顆只有發(fā)絲直徑幾分之一的、無(wú)襯底的薄膜芯片轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)電路板上？利亞德放棄了低效的機(jī)械抓取，轉(zhuǎn)向了激光驅(qū)動(dòng)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)。
Hi-Micro LED技術(shù)通過(guò)非接觸式激光瞬時(shí)加熱，使無(wú)襯底芯片從臨時(shí)基板上精準(zhǔn)“彈射”到目標(biāo)位置。這種方式不僅回避了物理接觸帶來(lái)的損傷風(fēng)險(xiǎn)，更實(shí)現(xiàn)了數(shù)百萬(wàn)級(jí)像素的高效集成。
在封裝形態(tài)上延續(xù)MIP（Micro LED in Package）思路，便于分bin、混光與大規(guī)模貼片，適配0.4?1.8mm間距的大屏商用場(chǎng)景。
無(wú)襯底芯片因其極薄，極其脆弱。利亞德在Hi-Micro LED生產(chǎn)流程中引入了全自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）與全自動(dòng)在線檢測(cè)技術(shù)，極大地提高了檢測(cè)效率；同時(shí)，搭配全自動(dòng)人工智能（AI）修復(fù)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了從芯片端到模組端的全鏈路品質(zhì)受控，將Micro LED的綜合良率推向了商用化的臨界點(diǎn)。
商業(yè)化的本質(zhì)是讓先進(jìn)技術(shù)變得“可負(fù)擔(dān)”。Hi-Micro LED技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于：去除襯底后，芯片可以通過(guò)高密度的圓片級(jí)加工。利亞德通過(guò)縮小芯片尺寸（目前已向20μm甚至更小跨越），在同尺寸晶圓上產(chǎn)出更多芯片，結(jié)合規(guī)?；庋b工藝，顯著降低了單位像素的成本。
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從降本到商業(yè)化：如何把“Hi-Micro LED”做成“生意”
利亞德Hi-Micro LED（高階MIP）技術(shù)的商業(yè)化之路，走的是一條“由點(diǎn)及面”的路徑。目前，在應(yīng)用層面，Hi?Micro LED已覆蓋：
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